半導体薄膜の結晶成長に用いられる手法の一つ。超高真空成長室内に設置したセル内で高純度原料を加熱、蒸発させるなどして、所望の半導体材料の構成元素を基板表面に照射して薄膜成長が行われる。非常に純度の高い結晶が得られること、精密な組成の制御が可能なこと、原子層オーダーでの膜厚の制御が可能であることなどが特徴。
ブンシセンエピタキシーホウ
分子線エピタキシー法 (MBE 法) 【molecular beam epitaxy】
酸化ガリウム薄膜成長用MBE 装置写真