窒化ガリウムは、ガリウム(Ga)と窒素(N)の1:1 の化合物で、化学式GaN で表される半導体。そのバンドギャップは室温で3.4 eV（電子ボルト）と大きい。現在、主に青色発光ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイスの材料として用いられている。また、電子デバイスとしても、昨今SiC と同様にパワーデバイス用途での研究開発が活発に進められている。
窒化ガリウムは、ガリウム(Ga)と窒素(N)の1:1 の化合物で、化学式GaN で表される半導体。そのバンドギャップは室温で3.4 eV（電子ボルト）と大きい。現在、主に青色発光ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイスの材料として用いられている。また、電子デバイスとしても、昨今SiC と同様にパワーデバイス用途での研究開発が活発に進められている。